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Vishay SIHB120N60E-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB120N60E-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SIHB120N60E-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.12. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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