Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 25 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.12. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |