新型 MDmesh M6 技術(shù)融合了著名的整合式 Mdmesh 系列 SJ MOSFET 的最新進(jìn)步。STMicroelectronics 通過其全新 M6 技術(shù)構(gòu)建了上一代 MDMESH 設(shè)備、該技術(shù)將出色的 RDS (接通)每個區(qū)域改進(jìn)與最有效的交換行為之一結(jié)合在一起、并提供用戶友好的體驗、以實現(xiàn)最大的最終應(yīng)用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每個區(qū)域的 RDS (接通)更低
低澆口輸入電阻
提供齊納保護(hù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 280 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.25V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.4mm |
| 寬度 | 9.35mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |