DiodesZetex MOSFET 生產的 N 溝道增強模式 MOSFE,旨在滿足汽車應用的嚴格要求。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。溫度最高可達 +175°C,特別適合于高溫環境。100% 無鉗位電感開關,確保更加可靠而穩健的終端應用封裝尺寸小于 1.1 mm,非常適合于薄型應用。
最大漏極-源極電壓 30 V 最大柵極-源極電壓 ±16 V 低導接通電阻且高 BVDSS 額定值,適合于電源應用 輸入電容低
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 170 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | PowerDI5060-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0032 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |