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Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFET

訂 貨 號：FF11MR12W1M1B11BOMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數量：10             品牌屬性：進口

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Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 1B 1200 v 、 11 mΩ 半橋模塊采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 觸點技術。

高電流密度
同類最佳的開關和傳導損耗
低電感設計
最高效率、可減少冷卻工作量
更高頻率操作
功率密度增加
優化客戶的開發周期時間和成本


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 100 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 模塊
安裝類型 螺絲安裝
最大漏源電阻值 0.016. Ω
最大柵閾值電壓 20V
每片芯片元件數目 4
暫無

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