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Vishay SIHB120N60E-T5-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB120N60E-T5-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SIHB120N60E-T5-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關和傳導損耗。

低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 25 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.12. Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
每片芯片元件數目 2
晶體管材料 Si
暫無

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