DiodesZetex 60V n 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度降低通態電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應用。其柵 - 源電壓為 20 v 、熱功耗為 2.4 w 。
額定溫度值為 +175°c 、特別適用于高環境溫度環境
低 qg –最大程度減少切換損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 33 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.044 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
