Vishay SiZ250DT T1 60V 是雙 n 溝道 GE3 ( d-s )高電阻器。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
優(yōu)化的 qgs/qgs 比可提高切換性能
特點
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 38 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | Powerpir 3 x 3FDC |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0122 Ω 、 0.0127 Ω 、 0.01811 Ω 、 0.01887 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |