此 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻（RDS（接通））并保持卓越的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。
低接通電阻
極低柵極閾值電壓，最大 1.0 V
低輸入電容
快速切換速度
ESD 保護門
完全無鉛
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
電源管理功能
電池供電系統和固態繼電器
負載開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 0.7（狀態）A，0.9（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | X1-DFN1212 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.45V |
| 最大功率耗散 | 890 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±12 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 1.25mm |
| 長度 | 1.25mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
