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Vishay SIR692DP-T1-RE3 MOSFET

訂 貨 號:SIR692DP-T1-RE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SIR692DP-T1-RE3 MOSFET
產品詳細信息

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高達 Gen III,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 24.2 A
最大漏源電壓 250 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 67 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 104 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 5.26mm
每片芯片元件數目 1
典型柵極電荷@Vgs 25.3 nC @ 10 V
長度 6.25mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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