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STMicroelectronics 極高電壓 N 通道功率 MOSFET 設(shè)計(jì)使用終極 MDmesh K6 技術(shù)，基于 20 年 STMicroelectronics 超接點(diǎn)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。因此，每個(gè)區(qū)域的杰出 接通電阻和柵極電荷適用于需要卓越功率密度和高效率的應(yīng)用。此 MOSFET 推薦用于基于回掃拓?fù)涞膽?yīng)用，如 LED 照明，充電器和適配器。提供更大的功率密度，減少 BOM 成本和板尺寸。

全球最佳 RDS (接通) x 區(qū)域
全球最佳 FOM (業(yè)績數(shù)字)
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護(hù)