Vishay e 系列功率 mosfet 具有 powerpak 8 x 8 封裝類型、采用單配置。
4th e 系列技術
低品質因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( co ( er ))
減少切換和傳導損耗
雪崩能量等級( uis )
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | Powerpak 8 x 8 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.208. Ω |
最大柵閾值電壓 | 3 → 5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |