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Infineon IMBG65R260M1HXTMA1 MOSFET

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Infineon IMBG65R260M1HXTMA1 MOSFET
產品詳細信息

英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC,基于固體碳化硅技術,利用寬帶隙 SiC 材料特性,650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨特組合,適用于在高溫和惡劣環境中操作,可實現最高系統效率的簡化和具有成本效益的部署。

更高電流時的優化切換行為,
切換堅固的快速主體二極管,具有低 Qf,
卓越的
柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
增強的浪涌能力,
與標準驅動器兼
容,Kelvin 源提供高達 4 倍低的切換損耗


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 6 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
暫無

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