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Vishay SIHB21N80AE-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIHB21N80AE-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Vishay SIHB21N80AE-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 D2PAK （圖 263 ）封裝類型、帶 17.4 a 漏極電流。

低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容（ co （ er ））
減少切換和傳導損耗
雪崩能量等級（ uis ）


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 17.4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.205. Ω
最大柵閾值電壓 2 → 4V
每片芯片元件數目 1
暫無

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