Vishay SiS890ADN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
Vishay N 通道 100 V (D-S) MOSFET。
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
24.7 A |
最大漏源電壓 |
100 V |
封裝類型 |
PowerPak 1212-8 |
安裝類型 |
表面貼裝 |
引腳數(shù)目 |
8 |
最大漏源電阻值 |
0.0255 Ω |
通道模式 |
增強 |
最大柵閾值電壓 |
2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 |
2 |
晶體管材料 |
Si |