TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
高側和低側 MOSFET 形成優化的
組合，可實現 50% 占空比
經優化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 提高了
高頻切換的效率
應用
同步降壓
直流/直流轉換
半橋
POL
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPAIR 3 x 3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 9 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.4V |
| 最大功率耗散 | 16.7 W |
| 最大柵源電壓 | -12 V、+16 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 長度 | 3mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 3mm |
