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+比較

Vishay SIA4265EDJ-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SIA4265EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIA4265EDJ-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款 Vishay P 溝道 MOSFET 的漏極電流為 -9 A,用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)、充電器開關(guān)

100 % Rg 測試
熱增強(qiáng)型 PowerPAK? SC-70 封裝
占用面積小
低導(dǎo)通電阻
典型 ESD 保護(hù):3000 V(人體模型)


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 9 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 PowerPAK SC-70
安裝類型 表面貼裝
暫無

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