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Infineon IPD50R650CEAUMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD50R650CEAUMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD50R650CEAUMA1 MOSFET
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the Infineon coolmos 是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術、它根據超接線( sj )原理設計、由 Infineon 技術開創。coolmos ce 是一款性價比優化的平臺、能夠通過仍然符合最高效率標準、針對消費和照明市場中的成本敏感型應用。新系列提供快速切換超級結 mosfet 的所有優點、同時不會降低使用便利性、并提供市場上提供的最佳性價比。

易于使用 / 驅動
非常高的換向堅固性
適用于標準等級應用


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 9 A
最大漏源電壓 500 V
封裝類型 Pg - to 252.
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.65 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 1
暫無

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