Vishay m n 溝道 25 v ( d-s ) mosfet 具有優(yōu)化的 qg 、 qgd 和 qgd/qgs 比、可減少與切換相關(guān)的功率損耗。
經(jīng)過 100% rg 和 uis 測試
trench場 效應(yīng)第四代功率 mosfet
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 25 V |
封裝類型 | Powerpak so - 8DC |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.00058 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.1V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |