Infineon 600V coolmos ? C7 超結（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 coolmos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。
減小開關損耗參數，如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質因數 Q G*R DS（接通）
增加切換頻率
全球最佳的 R（接通）*A
堅固的體二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 17 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | Thinpak 8x8 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 120 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
