N 通道 40V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接點溫度
出色的 RDS-QG 和 RDS-QOSS FOM 可減少傳導和切換的功耗,從而實現高效
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 150 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.3 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 150 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 4.65mm |
長度 | 10.51mm |
典型柵極電荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
每片芯片元件數目 | 1 |