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STMicroelectronics N 溝道功率場效應(yīng)管 (MOSFET) 運(yùn)用帶增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)的 STripFET F7 技術(shù) ，可增強(qiáng)線性模式耐受能力和提供更寬的 SOA 性能，并且具有超低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。因此，這款功率場效應(yīng)管可確保線性模式和切換操作之間最佳平衡。

同類最佳的 SOA 性能
高電流浪涌能力
超低導(dǎo)通電阻