STMicroelectronics 功率 MOSFET 是基于 STMicroelectronics 獨特 " 單功能尺寸? " 條帶工藝的最新開發產品。由此產生的晶體管具有極高的封裝密度，具有低接通電阻，堅固的雪崩特性和不太關鍵的校準步驟，因此具有出色的制造可重現性。
卓越的 dv/dt 能力
雪崩強化技術
通過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.007 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
