Vishay n 溝道 20 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak so-8 封裝類型、漏極電流為 430 a 。
trench場 效應第四代功率 mosfet
極低 rds x qg 品質因數（ fom ）
leadership rds （接通）可最大程度減少傳導功率損耗
在低電壓柵極驅動下具有 2.5 v 額定值和工作電壓
經過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 430 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | Powerpak so-8 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00031 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 0.6 → 1.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
