STMicroelectronics 設備是一款 N 通道功率 MOSFET ，采用 MDmesh ? M2 技術開發。得益于其條狀布局和改進的垂直結構，該設備具有低接通電阻和優化的切換特性，使其適用于嚴苛的高效率轉換器。
極低柵極電荷
出色的輸出電容 (COSS) 輪廓
通過 100% 雪崩測試
齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | PowerFLAT 8x8 HV |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.186 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
