Vishay SIJ150DP od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 （ 45V ） mosfet 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
極低 qg 和 qoss 可減少功率損耗并提高效率
柔性引線可提供抗機械應力的能力
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
Qgd/Qgs 比 1 優化了切換特性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 45 V |
| 封裝類型 | PowerPAK SO-8L |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0041 Ω 、 0.00283 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
