N 通道 60V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對最低的 RDS X QOSS FOM 進行了調(diào)整
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 81.2 a. |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PowerPak 1212-S |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 6.2 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 57 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 3.3mm |
寬度 | 3.3mm |
典型柵極電荷@Vgs | 31.5 nC @ 10 V |