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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IRF3710ZSTRLPBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRF3710ZSTRLPBF      品牌：意法半導(dǎo)體_ST

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRF3710ZSTRLPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此設(shè)計(jì)的其他功能包括 175°C 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些功能相結(jié)合形成這款極其高效且可靠的器件，適合用于各種應(yīng)用。

先進(jìn)的工藝技術(shù)
超低接通電阻
動(dòng)態(tài) dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
快速切換
重復(fù)雪崩允許高達(dá) Tjmax
無(wú)鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 59 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 2 + Tab
最大漏源電阻值 18 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 160 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 82 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 9.65mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...