P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET ? Gen IV P 通道功率 MOSFET
極低的 RDS (on) 可最大限度地降低電壓降并減少傳導損耗
無需充電泵
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 195 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPAK SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2.6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 104 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V ， +16 V |
| 寬度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 172.5 nC @10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5.99mm |
