P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? Gen III P 通道功率 MOSFET
超小型 0.8 mm x 0.6 mm 外形
超薄，最大 0.4 mm 高度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 500 mA |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPak 0806 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.4V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±12 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 0.6mm |
| 長度 | 0.8mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 1.3 nc @ 15v |
