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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay SIR5802DP-T1-RE3 MOSFET

訂 貨 號：SIR5802DP-T1-RE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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公司基本資料信息







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Vishay SIR5802DP-T1-RE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay Siliconix 維護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)的可靠性數(shù)據(jù)，封裝可靠性代表所有合格位置的復(fù)合。

TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
極低 RDS x Qg 品質(zhì)因數(shù) (FOM)
調(diào)諧至最低 RDS x Qoss FOM
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 137.5 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPak SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.004 Ω
最大柵閾值電壓 4V
暫無

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