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Infineon IPB110N20N3LFATMA1 MOSFET

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Infineon IPB110N20N3LFATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 線性 FET MOSFET 是一種革命性方法,無需在接通狀態電阻(R DS(on)) 和線性模式功能之間權衡 - 在增強模式 MOSFET 的飽和區域工作。它提供 Trench MOSFET 的最先進的 R DS(on) ,以及經典平面 MOSFET 的寬安全工作區域。

低 R DS(接通) 和寬廣的安全工作區域(SOA)的組合
最大脈沖電流值高
高連續脈沖電流
最大漏極電流為 88A
工作溫度范圍為 -55 °C 至 150 °C


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 88 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面安裝器件
暫無

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