新型 mdmesh ? M6 技術結合了最新的技術，使 sj 系列中著名的、整合的 mdmesh 得以實現。STMicroelectronics 的新 M6 技術構建于上一代 mdmesh 設備之上、該技術將每個區域的出色 rds （接通）改進與現有最有效的切換行為之一相結合、并提供用戶友好的體驗、以實現最大的最終應用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每區域的 rds （接通）更低
低柵極輸入電阻
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 72 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 36 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.25V |
| 最大功率耗散 | 446 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 5.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 106 nC @ 10 V |
| 長度 | 15.9mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
