ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 17.2 A |
最大漏源電壓 | 200 V |
封裝類型 | SO-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 80 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 52 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 5mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
晶體管材料 | Si |
長度 | 5.99mm |