STMicroelectronics M6 技術融合了 sj 系列眾所周知且整合的 mdmesh 最新技術。它通過其新的 M6 技術建立在上一代 mdmesh 設備的基礎上、該技術將每個區域的出色 rds （接通）改進與可用的最有效切換行為之一相結合、以及用戶友好的體驗、以實現最大的最終應用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每區域的 rds （接通）更低
低柵極輸入電阻
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 8 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
