Infineon 汽車 direct場 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 60V ，直接 M4 封裝內的最大連續漏極電流為 68A 。AUIRF7648M2 將最新的汽車 hex場 ? 功率 mosfet 硅技術與先進 Advanced ? 封裝技術相結合，以實現低柵極電荷和最低通態電阻，封裝尺寸僅為 so-8 且 0.7 mm 。當在制造方法和工藝方面遵循應用說明 a-1035 時， direct場 ? 封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術中使用的現有布局幾何結構兼容。direct場 ? 封裝允許雙面冷卻，以最大限度地提高汽車電源系統中的熱傳遞。
先進的工藝技術
經優化可用于汽車電動機驅動器、直流 - 直流和其他大負載應用
低 rds （接通）、可提高效率
重復雪崩能力、確保堅固性和可靠性
無鉛、 rohs 和無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 68 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | Direct場 (m) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 9 |
| 最大漏源電阻值 | 0.007. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
