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Infineon SuperSO8 封裝的功率 mosfet 采用新型技術(shù)、同時(shí)封裝溫度也得到了改善。此新組合可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的堅(jiān)固性。與較低的額定設(shè)備相比、 175°c tj_max 功能可在更高的工作接點(diǎn)溫度下提供更大的功率、或在相同的工作接點(diǎn)溫度下提供更長(zhǎng)的使用壽命。此外、安全工作區(qū)域（ soa ）的性能提高了 20% 。此新封裝功能特別適用于電信、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器等應(yīng)用。

低 RDS（接通）
經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
增強(qiáng)了 SuperSO8 的 175°c 性能
更長(zhǎng)的使用壽命
最高效率和功率密度
最高的系統(tǒng)可靠性
熱穩(wěn)定性