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訂 貨 號(hào):DMP45H21DHE-13 品牌:Diodes
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
此 450V 增強(qiáng)模式 P 溝道 MOSFET 為用戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)格,可提供高效的功率處理能力、高阻抗,并且可避免熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿。受益于此器件的應(yīng)用包括各種電信和一般高電壓切換電路。
低柵極驅(qū)動(dòng)
低輸入電容
快速切換速度
完全無(wú)鉛
無(wú)鹵素和無(wú)銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
負(fù)載切換
不間斷電源
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.4(狀態(tài))A,0.6(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 450 V |
封裝類(lèi)型 | SOT-223 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 21 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 12.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
長(zhǎng)度 | 6.55mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 3.55mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 4.2 nC @ 10V |