Vishay n 溝道 60 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak so-250v 8DC 封裝類型。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
極低 RDS - Qg 品質因數 (FOM)
調諧到最低 RDS - Qoss FOM
經過 100% rg 和 uis 測試
頂部冷卻功能為熱傳遞提供了額外的場所
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 204 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | Powerpak so - 8DC |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0012. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 1 → 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
