當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):SIHU4N80AE-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
E 系列功率 MOSFET
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (CISS)
減少切換和傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.1 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | IPAK (TO-251) |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.44 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 62.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 2.38mm |
長(zhǎng)度 | 6.73mm |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |