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Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI7997DP-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay SI7997DP 是雙 P 溝道 MOSFET ,漏極至源 (VDS) 電壓為 -30V。 柵極至源電壓 (VGS) 為 20V。它采用 Power PAK SO-8 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10VGS 時為 0.0055 歐姆, 4.5VGS 時為 0.0078 歐姆。最大漏極電流 -60A。

Trench FET 功率 MOSFET
PWM 優化
經過 100% Rg 和 UIS 測試


暫無

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