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產(chǎn)品分類(lèi)

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英飛凌 IPB65R190C7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPB65R190C7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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英飛凌 IPB65R190C7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 13 A
最大漏源電壓 700 V
封裝類(lèi)型 D2PAK (TO-263)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 190 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 72 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 23 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10.31mm
寬度 9.45mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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