Vishay n 溝道 30 v （ d-s ） mosfet TOP ING1 、可提供額外的熱傳遞場所。它具有優化的 qg 、 qgd 和 qgd/qgs 比、可減少與切換相關的功率損耗。
經過 100% rg 和 uis 測試
trench場 效應第四代功率 mosfet
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | Powerpak so - 8DC |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00062 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
