這些設備是采用 MDmesh? M2 技術開發的 N 溝道功率 MOSFET。得益于其條狀布局和改進的垂直結構，這些設備具有低接通電阻和優化的切換特點，非常適合最嚴苛的高效率轉換器。
極低柵極電荷
極佳的輸出電容 (COSS) 曲線
經過 100% 雪崩測試
齊納保護
極低 Qg 可提高效率
為諧振電源（LLC 轉換器）優化的柵極電荷和電容曲線
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 22 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | I2PAK |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 150 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 170 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | +25 V |
| 寬度 | 4.6mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 36 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
