此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應用。
0.6mm 薄型 — 特別適合薄型應用
印刷電路板印跡為 4mm2
低接通電阻
應用
電源管理功能
電池供電系統和固態繼電器
驅動器:繼電器、電磁閥、燈、錘、顯示器、存儲器、晶體管等
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 3.2(狀態)A,4(穩定)A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | U-DFN2020 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 110 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 1.1 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 2.05mm |
每片芯片元件數目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 2.05mm |
典型柵極電荷@Vgs | 5.1 nC @ 10V |