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產(chǎn)品分類

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+比較

Infineon IPG20N10S4L35ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPG20N10S4L35ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPG20N10S4L35ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 75V 的 100V 系列 n 通道汽車用功率為 1.2m? ,它采用了各種封裝中的新的最佳 mos 技術(shù),而乘客車的 rds (接通)范圍從 190m?Reducing m 2 到 CO2 48V ,加速了 48V 板的采用,因此 像起動(dòng)器發(fā)電機(jī)(主逆變器), 電池主開(kāi)關(guān)、直流 - 直流轉(zhuǎn)換器以及 48V 輔助裝置。Infineon 是一個(gè)新興市場(chǎng) 80V 100V 封裝在不同的封裝類型中、如 toll ( hsof - 8 )、 tolg ( hsog - 8 )、 tolt ( hdsop - 16 )、 SSO8 ( tdson - 8 )和 S308 ( tsdson - 8 )、以便為不同的電源要求以及電子控制裝置( ecu )級(jí)別上的不同冷卻概念提供解決方案。80V 和 100V 等 48V 應(yīng)用還可用于 led 照明、燃油噴射以及車內(nèi)無(wú)線充電。

雙 n 通道邏輯電平 - 增強(qiáng)模式
符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
100% 雪崩測(cè)試
雙 super S08 可替代多個(gè) dpaks 、顯著節(jié)省印刷電路板面積并降低系統(tǒng)級(jí)成本。
粘接線為 200um 、電流高達(dá) 20A
較大的源引線框連接、用于電線連接
封裝: pg - tdson - 8 - 4
與具有相同模具尺寸的 dak 相同的熱和電氣性能。
裸露墊提供出色的熱傳輸(因模具尺寸而異)
兩個(gè) n 溝道功率為 2 的單個(gè)封裝中的單個(gè)隔離導(dǎo)線 框架


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 PG-TDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.035 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 16V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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