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SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專(zhuān)門(mén)用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 時(shí)為 700 V
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 30 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切換損耗
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
內(nèi)部柵極電阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS（接通）= 170 m?
波焊保證
計(jì)算
消費(fèi)品
工業(yè)
筆記本電腦/臺(tái)式電腦/游戲控制臺(tái)
電信/服務(wù)器