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DiodesZetex 生產(chǎn)的 N 溝道增強模式 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封裝，0.6mm 離板高度使其是薄型應用的理想之選。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應用

最大漏極-源極電壓 20 V 最大柵極-源極電壓 ±12 V 在 PCB 上的占地尺寸 4mm^2 柵極閾值電壓低 提供柵極 ESD 保護