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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay SiR681DP-T1-RE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SiR681DP-T1-RE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SiR681DP-T1-RE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay TrenchFET P 通道為 80 V MOSFET。

經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 71.9 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPak SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.0112 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.6V
每片芯片元件數(shù)目 2
晶體管材料 Si
暫無

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