Vishay n 溝道 100 v ( d-s ) mosfet 具有超低 rds x qg 品質因數(shù)( fom )。它調諧為最低 rds x qoss fom 。
trench場 效應第四代功率 mosfet
經過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 81 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | Powerpak so-8 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0061 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |