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Infineon 碳化硅 MOSFET 減少系統(tǒng)復(fù)雜性。它可直接從回程控制器驅(qū)動(dòng)。提高效率和減少冷卻工作。支持更高頻率。

非常低的開關(guān)損耗；
短路耐受時(shí)間 3 μs；
完全可控制 dV/dt；
基準(zhǔn)門臨界電壓，VGS(th) = 4.5V；
耐寄生接通，可應(yīng)用
0V 關(guān)閉門電壓；穩(wěn)定的主體二極管，可用于硬切換；
XT 互連技術(shù)，提供同類最佳的熱性能；
封裝彎曲和間隙距離 >6.1mm；
感應(yīng)引腳，用于優(yōu)化切換性能